中国时政
长鑫存储据报切入NAND：北京补齐存储芯片版图，技术自主与国家资本继续交织
9月18日产业消息显示，以DRAM为主业的长鑫存储正推进NAND闪存布局。NAND广泛用于固态硬盘、手机和数据中心，跨入这一领域意味着新的工艺、设备、人才与客户验证体系。美国持续收紧先进芯片出口限制之际，北京正以产业基金和政策资源推动半导体自主；项目能否真正改变市场，仍取决于技术路线、良率、成本、实
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当全球芯片进入High-NA时代：中国“国产替代”仍被卡在光刻技术断层
ASML的High-NA EUV正进入全球先进芯片厂商导入阶段，而中国国产浸没式DUV才开始早期生产。北京确实取得设备国产化进展，但在EUV、High-NA、量产可靠性和产业链协同上仍存在明显代际差。中共“自主可控”宣传掩盖的，不是有没有国产设备，而是全球技术前沿仍在更快向前移动。
观点评论
评论｜长鑫存储传出HBM小规模量产突破 中国AI芯片“卡脖子”正在转向存储环节
路透援引The Information称，长鑫存储已开始小规模生产先进高带宽存储器。HBM是AI加速器关键配套，但“小规模生产”并不等于中国厂商已经追平国际龙头。